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FF1200R17KP4B2NOSA2
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FF1200R17KP4B2NOSA2

FF1200R17KP4B2NOSA2

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
1700 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
IHM-B
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
-
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1700 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
AG-PRIME2
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - taglio del collettore (massimo):
5 mA
Tipo di IGBT:
Fermata di campo della fossa
Massimo elettrico:
W 1400
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
98 nF @ 25 V
Configurazione:
2 indipendente
Termistore di NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FF1200
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
Modulo IGBT 1700V 1200A
Descrizione di prodotto
IGBT Modulo Trench Field Stop 2 Indipendente 1700 V 1700 A 1400 W Montaggio del telaio AG-PRIME2

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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