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FS50R12KE3BOSA1
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FS50R12KE3BOSA1

FS50R12KE3BOSA1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
75 A
Status del prodotto:
Interrotto da Digi-Key
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
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Serie:
-
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.15V @ 15V, 50A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Corrente - taglio del collettore (massimo):
5 mA
Tipo di IGBT:
NPT
Massimo elettrico:
270 W
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
3.5 nF @ 25 V
Configurazione:
Invertitore trifase
Termistore di NTC:
- Sì, sì.
Numero del prodotto di base:
FS50R12
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IGBT MOD 1200V 75A 270W
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT NPT Invertitore trifase 1200 V 75 A 270 W Modulo di montaggio del telaio

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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