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FF650R17IE4DB2BOSA1
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FF650R17IE4DB2BOSA1

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - taglio del collettore (massimo):
5 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
PrimePackTM2
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.45V @ 15V, 650A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1700 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C
Massimo elettrico:
4150 W
Tipo di IGBT:
-
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
54 nF @ 25 V
Configurazione:
2 indipendente
Termistore di NTC:
- Sì, sì.
Numero del prodotto di base:
FF650R17
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
Modulo IGBT 1700V 4150W
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT 2 Modulo di montaggio del telaio indipendente da 1700 V a 4150 W

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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