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NXH35C120L2C2ESG
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NXH35C120L2C2ESG

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
35 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
tubo
Serie:
-
Confezione / Cassa:
26-PowerDIP modulo (1,199", 47.20mm)
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.4V @ 15V, 35A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
26-DIP
Mfr:
semi
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - taglio del collettore (massimo):
µA 250
Tipo di IGBT:
-
Massimo elettrico:
20 Mw
Input:
raddrizzatore a ponte trifase
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
8.333 nF @ 20 V
Configurazione:
Invertitore trifase con il freno
Termistore di NTC:
- Sì, sì.
Numero del prodotto di base:
NXH35
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
Modulo IGBT, CIB 1200 V, 35 A IG
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT Invertitore trifase con freno 1200 V 35 A 20 mW attraverso foro 26-DIP

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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