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FF1200R17KE3NOSA1
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FF1200R17KE3NOSA1

FF1200R17KE3NOSA1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - taglio del collettore (massimo):
5 mA
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.45V @ 15V, 1200A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1700 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C
Massimo elettrico:
595000 W
Tipo di IGBT:
-
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
110 nF @ 25 V
Configurazione:
Elicottero singolo
Termistore di NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FF1200
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
Modulo IGBT VCES 1700V 1200A
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT Single Chopper 1700 V 595000 W Modulo montato sul telaio

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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