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FF150R12RT4HOSA1
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FF150R12RT4HOSA1

FF150R12RT4HOSA1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
150 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
c
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.15V @ 15V, 150A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Corrente - taglio del collettore (massimo):
1 mA
Tipo di IGBT:
Fermata di campo della fossa
Massimo elettrico:
790 W
Input:
Norme
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione:
mezzo ponte
Termistore di NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FF150R12R
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IGBT MOD 1200V 150A 790W
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT Trench Field Stop Mezzo ponte 1200 V 150 A 790 W Modulo di montaggio superficiale

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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