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FZ1200R12HE4PHPSA1
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FZ1200R12HE4PHPSA1

FZ1200R12HE4PHPSA1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
1825 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
IHM-B
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.1V @ 15V, 1200A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - taglio del collettore (massimo):
5 mA
Tipo di IGBT:
Fermata di campo della fossa
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
74 nF @ 25 V
Configurazione:
Singolo commutatore
Termistore di NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FZ1200
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
Modulo IGBT 1200V 1825A
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT Trench Field Stop Interruttore singolo 1200 V 1825 A Modulo montato sul telaio

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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