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FF200R12KS4HOSA1
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FF200R12KS4HOSA1

FF200R12KS4HOSA1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
275 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
c
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
3.7V @ 15V, 200A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C
Corrente - taglio del collettore (massimo):
5 mA
Tipo di IGBT:
-
Massimo elettrico:
W 1400
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
13 nF @ 25 V
Configurazione:
2 indipendente
Termistore di NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FF200R12
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IGBT MOD 1200V 275A 1400W
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT 2 Modulo indipendente 1200 V 275 A 1400 W montato sul telaio

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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