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DTD523YE3TL
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DTD523YE3TL

DTD523YE3TL

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - collettore (CI) (massimo):
500 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo del transistor:
NPN - Pre-biased + diodo
Frequenza - transizione:
260 megahertz
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
300mV @ 5mA, 100mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
12 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
EMT3
Resistenza - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Resistenza - emittenta-base (R2):
10 kOhms
Corrente - taglio del collettore (massimo):
500nA
Massimo elettrico:
150 Mw
Confezione / Cassa:
SC-75, SOT-416
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
140 @ 100mA, 2V
Numero del prodotto di base:
DTD523
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
NPN, SOT-416, R1R2 assorbimento di perdite
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) NPN - Pre-biasato + diodo 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount EMT3

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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