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UNR311100L
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UNR311100L

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - collettore (CI) (massimo):
100 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo del transistor:
PNP - Pregiudicato
Frequenza - transizione:
80 MHz
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro & bobina (TR) Tagli il nastro (CT)
Serie:
-
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
250mV @ 300μA, 10mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SSSMini3-F1
Resistenza - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Componenti elettronici di Panasonic
Resistenza - emittenta-base (R2):
10 kOhms
Corrente - taglio del collettore (massimo):
500nA
Massimo elettrico:
100 Mw
Confezione / Cassa:
SOT-723
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
UNR311
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 100 MW SSSMINI3
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 50 V 100 mA 80 MHz 100 mW SSSMini3-F1

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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