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FJV4110RMTF
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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - collettore (CI) (massimo):
100 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo del transistor:
PNP - Pregiudicato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - transizione:
200 MHz
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
300mV @ 1mA, 10mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
40 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Resistenza - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
semi
Corrente - taglio del collettore (massimo):
100nA (ICBO)
Massimo elettrico:
200 Mw
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Numero del prodotto di base:
FJV411
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 200 MW SOT23-3
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 40 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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