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UNR422100A
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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - collettore (CI) (massimo):
500 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo del transistor:
NPN - Pre-polarizzato
Frequenza - transizione:
200 MHz
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
Tagli il nastro (CT) Nastro & scatola (TB)
Serie:
-
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
250mV @ 5mA, 100mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
NS-B1
Resistenza - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Componenti elettronici di Panasonic
Resistenza - emittenta-base (R2):
2,2 kOhms
Corrente - taglio del collettore (massimo):
1µA
Massimo elettrico:
300 mW
Confezione / Cassa:
3-SIP
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
40 @ 100mA, 10V
Numero del prodotto di base:
UNR422
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Transistor bipolare (BJT) NPN - Pre-biased 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW attraverso il foro NS-B1

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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