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NHDTA123JTVL
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NHDTA123JTVL

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - collettore (CI) (massimo):
100 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo del transistor:
PNP - Pregiudicato
Frequenza - transizione:
150 megahertz
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
100mV @ 500μA, 10mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
80 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-236AB
Resistenza - base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Resistenza - emittenta-base (R2):
47 kOhms
Corrente - taglio del collettore (massimo):
100nA
Massimo elettrico:
250 mW
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
100 @ 10mA, 5V
Numero del prodotto di base:
NHDTA123
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
NHDTA123JT/SOT23/TO-236AB
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Supporto di superficie TO-236AB

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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