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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - collettore (CI) (massimo):
500 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo del transistor:
PNP - Pregiudicato
Frequenza - transizione:
150 megahertz
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
100 mV @ 2,5 mA, 50 mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN1010D-3
Resistenza - base (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Resistenza - emittenta-base (R2):
10 kOhms
Corrente - taglio del collettore (massimo):
500nA
Massimo elettrico:
325 Mw
Confezione / Cassa:
3-XDFN Pad esposto
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Numero del prodotto di base:
PDTB143
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 50 V 500 mA 150 MHz 325 mW Monte di superficie DFN1010D-3

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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