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UNR911BG0L
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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - collettore (CI) (massimo):
100 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo del transistor:
PNP - Pregiudicato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - transizione:
80 MHz
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
250mV @ 300μA, 10mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SSMini3-F3
Resistenza - base (R1):
100 kOhms
Mfr:
Componenti elettronici di Panasonic
Corrente - taglio del collettore (massimo):
500nA
Massimo elettrico:
125 Mw
Confezione / Cassa:
SC-89, SOT-490
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
160 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
UNR911
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 125 MW SSMINI3
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 50 V 100 mA 80 MHz 125 mW Superficie montata SSMini3-F3

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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