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CGH25120F
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CGH25120F

CGH25120F

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Tensione - stimata:
84 V
Pacco:
Scaffale
Serie:
GaN
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
440162
Tensione - prova:
28 V
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Frequenza:
2.3 GHz ~ 2.7 GHz
Guadagno:
12.5dB
Confezione / Cassa:
440162
Corrente - prova:
500 mA
Uscita elettrica:
130W
Tecnologia:
HEMT
Valutazione corrente (amp):
-
Numero del prodotto di base:
CGH25120
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7 GHz FET
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Mosfet RF 28 V 500 mA 2,3 GHz ~ 2,7 GHz 12,5 dB 130 W 440162

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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