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IGN1011L1200
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IGN1011L1200

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - stimata:
180 V
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PL84A1
Tensione - prova:
50 V
Mfr:
Integra Technologies Inc.
Frequenza:
10,03 GHz ~ 1,09 GHz
Guadagno:
160,8 dB
Confezione / Cassa:
PL84A1
Corrente - prova:
160 mA
Uscita elettrica:
1250 W
Tecnologia:
HEMT
Valutazione corrente (amp):
-
Numero del prodotto di base:
IGN1011
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
GAN, TRANSISTORE di potenza RF, L-BAND
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
RF Mosfet 50 V 160 mA 1,03GHz ~ 1,09GHz 16,8dB 1250W PL84A1

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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