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1214GN-600VHE
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1214GN-600VHE

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tensione - stimata:
150 V
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
55-KR
Tensione - prova:
50 V
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Frequenza:
1.2 GHz ~ 1.4 GHz
Guadagno:
17.5dB
Confezione / Cassa:
55-KR
Corrente - prova:
100 mA
Uscita elettrica:
600W
Tecnologia:
HEMT
Valutazione corrente (amp):
-
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
TRAN, GAN, 1200-1400 MHz, 600W,
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,2 GHz ~ 1,4 GHz 17,5 dB 600W 55-KR

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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