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  • IGN1011L70

IGN1011L70

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Tensione - stimata:
120 V
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PL32A2
Tensione - prova:
50 V
Mfr:
Integra Technologies Inc.
Frequenza:
10,03 GHz ~ 1,09 GHz
Guadagno:
22dB
Confezione / Cassa:
PL32A2
Corrente - prova:
22 mA
Uscita elettrica:
80W
Tecnologia:
GaN HEMT
Valutazione corrente (amp):
-
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
GAN, TRANSISTORE di potenza RF, L-BAND
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
RF Mosfet 50 V 22 mA 1,03GHz ~ 1,09GHz 22dB 80W PL32A2

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