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A2G22S251-01SR3
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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tensione - stimata:
125 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
NI-400S-2S
Tensione - prova:
48 v
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequenza:
10,805 GHz ~ 2,2 GHz
Guadagno:
170,7 dB
Confezione / Cassa:
NI-400S-2S
Corrente - prova:
200 mA
Uscita elettrica:
52 dBm
Tecnologia:
ldmos
Valutazione corrente (amp):
-
Numero del prodotto di base:
A2G22
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Mosfet RF 48 V 200 mA 1,805 GHz ~ 2,2 GHz 17,7 dB 52 dBm NI-400S-2S

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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