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MHE1003NR3
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MHE1003NR3

MHE1003NR3

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tensione - stimata:
65 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
OM-780-2
Tensione - prova:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequenza:
2.4 GHz ~ 2.5 GHz
Guadagno:
14.1 dB
Confezione / Cassa:
OM-780-2
Corrente - prova:
50 mA
Uscita elettrica:
53dBm
Tecnologia:
ldmos
Valutazione corrente (amp):
10µA
Numero del prodotto di base:
MHE10
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
Potenza RF LDMOS TRANSISTORE PER CO
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Mosfet RF 28 V 50 mA 2,4 GHz ~ 2,5 GHz 14,1 dB 53 dBm OM-780-2

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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