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IGN1214L500B
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IGN1214L500B

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tensione - stimata:
160 V
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PL95A1
Tensione - prova:
50 V
Mfr:
Integra Technologies Inc.
Frequenza:
1.2 GHz ~ 1.4 GHz
Guadagno:
15dB
Confezione / Cassa:
PL95A1
Corrente - prova:
200 mA
Uscita elettrica:
650W
Tecnologia:
HEMT
Valutazione corrente (amp):
-
Numero del prodotto di base:
IGN1214
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
GAN, TRANSISTORE di potenza RF, L-BAND
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Mosfet RF 50 V 200 mA 1,2 GHz ~ 1,4 GHz 15 dB 650 W PL95A1

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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