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AFT23H200-4S2LR6
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AFT23H200-4S2LR6

AFT23H200-4S2LR6

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Tensione - stimata:
65 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Configurazione:
Doppio
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
NI-1230-4LS2L
Tensione - prova:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequenza:
2.3GHz
Guadagno:
15.3 dB
Confezione / Cassa:
NI-1230-4LS2L
Corrente - prova:
500 mA
Uscita elettrica:
45W
Tecnologia:
ldmos
Valutazione corrente (amp):
-
Numero del prodotto di base:
AFT23
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
FET RF 2CH 65V 2.3 GHz NI1230-4
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Mosfet RF 28 V 500 mA 2,3 GHz 15,3 dB 45 W NI-1230-4LS2L

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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