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MRF6S19200HSR3
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MRF6S19200HSR3

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Tensione - stimata:
66 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
NI-780S
Tensione - prova:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequenza:
10,93 GHz ~ 1,99 GHz
Guadagno:
170,9 dB
Confezione / Cassa:
NI-780S
Corrente - prova:
1,6 A
Uscita elettrica:
56W
Tecnologia:
ldmos
Valutazione corrente (amp):
-
Numero del prodotto di base:
MRF6
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
FET RF 66V 1,99 GHz NI780S
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
RF Mosfet 28 V 1.6 A 1,93 GHz ~ 1,99 GHz 17,9 dB 56W NI-780S

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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