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MRFE6VP100HSR5
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MRFE6VP100HSR5

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tensione - stimata:
133 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
NI-780S-4L
Tensione - prova:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequenza:
512 MHz
Guadagno:
26dB
Confezione / Cassa:
NI-780S-4L
Corrente - prova:
100 mA
Uscita elettrica:
100W
Tecnologia:
ldmos
Valutazione corrente (amp):
-
Numero del prodotto di base:
MRFE6
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Mosfet RF 50 V 100 mA 512 MHz 26 dB 100 W NI-780S-4L

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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