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A3G26D055N-100
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A3G26D055N-100

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tensione - stimata:
125 V
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Figura di rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
6-PDFN (7x6.5)
Tensione - prova:
48 v
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequenza:
100 MHz ~ 2,69 GHz
Guadagno:
130,9 dB
Confezione / Cassa:
6-LDFN pad esposto
Corrente - prova:
40 mA
Uscita elettrica:
8w
Tecnologia:
GaN
Valutazione corrente (amp):
-
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
Circuito RF REF 25W 100-2800MHZ
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Mosfet RF 48 V 40 mA 100 MHz ~ 2,69 GHz 13,9 dB 8 W 6-PDFN (7x6,5)

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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