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NE3511S02-A
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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tensione - stimata:
4 V
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Figura di rumore:
0.3dB
Confezione del dispositivo del fornitore:
S02
Tensione - prova:
2 V
Mfr:
Cel
Frequenza:
12 GHz
Guadagno:
13.5dB
Confezione / Cassa:
4-SMD, conduttori piatti
Corrente - prova:
10 mA
Uscita elettrica:
-
Tecnologia:
GaAs HJ-FET
Valutazione corrente (amp):
70mA
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 13,5 dB S02

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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