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BG3123E6327HTSA1
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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tensione - stimata:
8 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Configurazione:
2 N-Manica (doppi)
Serie:
-
Figura di rumore:
10,8 dB
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-SOT363-PO
Tensione - prova:
5 V
Mfr:
Infineon Technologies
Frequenza:
800MHz
Guadagno:
25dB
Confezione / Cassa:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Corrente - prova:
14 mA
Uscita elettrica:
-
Tecnologia:
MOSFET
Valutazione corrente (amp):
25mA, 20mA
Numero del prodotto di base:
BG3123
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Mosfet RF 5 V 14 mA 800 MHz 25 dB PG-SOT363-PO

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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