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FS75R12W2T7B11BOMA1
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FS75R12W2T7B11BOMA1

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
65 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
EasyPACK™
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
1.55V @ 15V, 75A (tipo)
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 175°C
Corrente - taglio del collettore (massimo):
13µA
Tipo di IGBT:
Fermata di campo della fossa
Massimo elettrico:
20 Mw
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
15.1 nF @ 25 V
Configurazione:
Ponte pieno
Termistore di NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FS75R12
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
IGBT MOD 1200V 75A
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 65 A 20 mW Modulo montato sul telaio

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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