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FP50R07N2E4BOSA1
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FP50R07N2E4BOSA1

FP50R07N2E4BOSA1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
70 A
Status del prodotto:
Interrotto da Digi-Key
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
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Serie:
EconoPIM™ 2
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
1.95V @ 15V, 50A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
650 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - taglio del collettore (massimo):
1 mA
Tipo di IGBT:
Fermata di campo della fossa
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
3.1 nF @ 25 V
Configurazione:
Invertitore trifase
Termistore di NTC:
- Sì, sì.
Numero del prodotto di base:
FP50R07
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
Modulo IGBT 650V 70A
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT Trench Field Stop Inverter trifase 650 V 70 A Modulo montato sul telaio

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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