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FF200R12KE4PHOSA1
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FF200R12KE4PHOSA1

FF200R12KE4PHOSA1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
200 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
c
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.15V @ 15V, 200A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - taglio del collettore (massimo):
5 mA
Tipo di IGBT:
Fermata di campo della fossa
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
Norme
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configurazione:
mezzo ponte
Termistore di NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FF200R12
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
Modulo IGBT 1200V 200A
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A Modulo montato sul telaio

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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