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BSM50GP120BOSA1
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BSM50GP120BOSA1

BSM50GP120BOSA1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori IGBT Moduli IGBT
Corrente - collettore (CI) (massimo):
80 A
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio su telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.55V @ 15V, 50A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C
Corrente - taglio del collettore (massimo):
µA 500
Tipo di IGBT:
-
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
raddrizzatore a ponte trifase
Capacità introdotta (Cies) @ Vce:
3.3 pF @ 25 V
Configurazione:
Un invertitore di 3 fasi
Termistore di NTC:
- Sì, sì.
Numero del prodotto di base:
BSM50G
Termini di trasporto & di pagamento
Stoccaggio
In magazzino
Metodo di spedizione
LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione
Modulo IGBT 1200V 50A
Termini di pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Descrizione di prodotto
Modulo IGBT Inverter trifase 1200 V 80 A Modulo per montaggio su telaio

Etichette:

Chip di IC del transistor,

Chip incastonato,

Chip incastonato SMD

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