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CY7C1012DV33-10BGXI
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CY7C1012DV33-10BGXI

CY7C1012DV33-10BGXI

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
10ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
119-PBGA (14 x 22)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Dimensione della memoria:
12Mbit
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Tempo di accesso:
10 ns
Confezione / Cassa:
119-BGA
Organizzazione della memoria:
512K x 24
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Numero del prodotto di base:
CY7C1012
Formato di memoria:
SRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC SRAM 12MBIT PARALLEL 119PBGA
Descrizione di prodotto
SRAM - Memoria asincrona IC 12Mbit parallela 10 ns 119-PBGA (14x22)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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