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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • D2114AL2

D2114AL2

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
200ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
18-CDIP
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Informazioni
Dimensione della memoria:
4Kbit
Voltaggio - Fornitura:
4.5V ~ 5.5V
Confezione / Cassa:
18-CDIP
Organizzazione della memoria:
1K x 4
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Tempo di accesso:
200 ns
Formato di memoria:
SRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP
Descrizione di prodotto
SRAM - Memoria asincrona IC 4Kbit parallela 200 ns 18-CDIP

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