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CY14B104N-BA20XC
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CY14B104N-BA20XC

CY14B104N-BA20XC

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Tubo
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
20ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
48-FBGA (6x10)
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.7V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
48-TFBGA
Organizzazione della memoria:
256K x 16
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM non volatile)
Numero del prodotto di base:
CY14B104
Formato di memoria:
NVSRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Descrizione di prodotto
NVSRAM (Non Volatile SRAM) Memoria IC 4Mbit Parallel 20 ns 48-FBGA (6x10)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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