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11AA080T-I/MNY
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11AA080T-I/MNY

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
8Kbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Filtro singolo
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
5 ms
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-TDFN (2x3)
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Frequenza dell'orologio:
100 kHz
Voltaggio - Fornitura:
1.8V ~ 5.5V
Confezione / Cassa:
8-WFDFN Pad esposto
Organizzazione della memoria:
1K x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
EEPROM
Numero del prodotto di base:
11AA080
Formato di memoria:
EEPROM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC EEPROM 8KBIT SGL WIRE 8TDFN
Descrizione di prodotto
Memoria EEPROM IC 8Kbit Single Wire 100 kHz 8-TDFN (2x3)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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