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R1LV0108ESA-5SI#B1
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R1LV0108ESA-5SI#B1

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
R1LV0108E
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
55ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
32-TSOP I
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
RENESAS
Dimensione della memoria:
1Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.7V ~ 3.6V
Confezione / Cassa:
32-TFSOP (0,465", 11,80 mm di larghezza)
Organizzazione della memoria:
128K x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Tempo di accesso:
55 ns
Formato di memoria:
SRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
R1LV0108E - LPSRAM avanzata da 1 Mb
Descrizione di prodotto
SRAM - IC di memoria asincrona 1Mbit parallelo 55 ns 32-TSOP I

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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