Invia messaggio
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com Telefono: 86--13825240555
Casa > prodotti > chip di memoria flash CI >
MT416M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420
  • MT416M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420

MT416M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
512Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
90-VFBGA (8x13)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Micron Technology Inc.
Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.95V
Tempo di accesso:
5 ns
Confezione / Cassa:
90-VFBGA
Organizzazione della memoria:
16M x 32
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 105°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR mobile
Numero del prodotto di base:
MT4111M2
Formato di memoria:
DRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC DRAM 512MBIT 90VFBGA PAR
Descrizione di prodotto
SDRAM - La memoria mobile IC 512Mbit di LPDDR parallelizza 200 megahertz 5 il NS 90-VFBGA (8x13)

Contattici in qualunque momento

86--13825240555
609 no. 4018, strada baoan, via di Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
Invii la vostra indagine direttamente noi