Invia messaggio
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com Telefono: 86--13825240555
Casa > prodotti > chip di memoria flash CI >
W631GU6NB11I
  • W631GU6NB11I
W631GU6NB11I

W631GU6NB11I

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
96-VFBGA (7,5x13)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
933 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
96-VFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3L
Numero del prodotto di base:
W631GU6
Formato di memoria:
DRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC DRAM 1GBIT PAR 96VFBGA
Descrizione di prodotto
SDRAM - IC di memoria DDR3L 1Gbit parallelo 933 MHz 20 ns 96-VFBGA (7,5x13)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

Prodotti raccomandati

Contattici in qualunque momento

86--13825240555
609 no. 4018, strada baoan, via di Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Invii la vostra indagine direttamente noi