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TC58BYG2S0HBAI6
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TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
Benand™
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
25ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
67-VFBGA (6,5x8)
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Kioxia America, Inc.
Dimensione della memoria:
4Gbit
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.95V
Tempo di accesso:
25 ns
Confezione / Cassa:
67-VFBGA
Organizzazione della memoria:
512M x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
FLASH - NAND (SLC)
Numero del prodotto di base:
TC58BYG2
Formato di memoria:
Flash
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Descrizione di prodotto
Flash - NAND (SLC) Memoria IC 4Gbit parallelo 25 ns 67-VFBGA (6.5x8)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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