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W947D6HBHX5E
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W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
128Mbit
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
60-VFBGA (8x9)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.95V
Tempo di accesso:
5 ns
Confezione / Cassa:
60-TFBGA
Organizzazione della memoria:
8M x 16
Temperatura di funzionamento:
-25°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR mobile
Numero del prodotto di base:
W947D6
Formato di memoria:
DRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
Descrizione di prodotto
SDRAM - CI di memoria LPDDR mobile 128 Mbit Parallela 200 MHz 5 ns 60-VFBGA (8x9)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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