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IS43DR16160B-3DBLI-TR
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IS43DR16160B-3DBLI-TR

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Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
256Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
84-TWBGA (8x12.5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
333MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.9V
Tempo di accesso:
450 ps
Confezione / Cassa:
84-TFBGA
Organizzazione della memoria:
16M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM-DDR2
Numero del prodotto di base:
IS43DR16160
Formato di memoria:
DRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
Descrizione di prodotto
SDRAM - DDR2 Memoria IC 256Mbit Parallelo 333 MHz 450 ps 84-TWBGA (8x12.5)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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