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W63AH2NBVACI
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W63AH2NBVACI

W63AH2NBVACI

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
HSUL_12
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
178-VFBGA (11x11.5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
933 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Tempo di accesso:
5,5 NS
Confezione / Cassa:
178-VFBGA
Organizzazione della memoria:
32M x 32
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR3 mobile
Numero del prodotto di base:
W63AH2
Formato di memoria:
DRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
Descrizione di prodotto
SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 1Gbit HSUL_12 933 MHz 5,5 ns 178-VFBGA (11x11.5)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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