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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • MT4A3B:

MT4A3B:

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
512Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
60-FBGA (8x12.5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Micron Technology Inc.
Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
2,5 V ~ 2,7 V
Tempo di accesso:
700 ps
Confezione / Cassa:
60-TFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 8
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM-DDR
Numero del prodotto di base:
MT46V64M8
Formato di memoria:
DRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Descrizione di prodotto
SDRAM - Memoria DDR IC 512Mbit Parallelo 200 MHz 700 ps 60-FBGA (8x12.5)

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