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CY7C1357B-100BZC
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CY7C1357B-100BZC

CY7C1357B-100BZC

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
9Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
NoBL™
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
100-TQFP (14x20)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Frequenza dell'orologio:
100 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
7,5 NS
Confezione / Cassa:
100-LQFP
Organizzazione della memoria:
512K x 18
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, DSR
Numero del prodotto di base:
CY7C1357
Formato di memoria:
SRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
Descrizione di prodotto
SRAM - Memoria sincrona IC SDR 9Mbit parallela a 100 MHz 7.5 ns 100-TQFP (14x20)

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

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