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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • 7164S25TDB

7164S25TDB

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
25ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
28-CDIP
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
IDT, tecnologia integrata inc del dispositivo
Dimensione della memoria:
64Kbit
Voltaggio - Fornitura:
4.5V ~ 5.5V
Tempo di accesso:
25 ns
Confezione / Cassa:
28-CDIP (0,300", 7,62 mm)
Organizzazione della memoria:
8K x 8
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 125°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Numero del prodotto di base:
7164S
Formato di memoria:
SRAM
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
Descrizione di prodotto
SRAM - Memoria asincrona IC 64Kbit parallela 25 ns 28-CDIP

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