Invia messaggio
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com Telefono: 86--13825240555
Casa > prodotti > chip di memoria flash CI >
R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 ns 44-TSOP II
  • R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 ns 44-TSOP II
R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 ns 44-TSOP II

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 ns 44-TSOP II

Dettagli del prodotto
Categoria:
Circuiti integrati (IC) Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
a sfuso
Serie:
R1RW0416DI
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
12ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
44-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
RENESAS
Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Confezione / Cassa:
44-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
256K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Tempo di accesso:
12 n
Formato di memoria:
SRAM
Evidenziare: 

R1RW0416DSB-2PI#D1

,

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM

Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione
R1RW0416D-I - Ampia temperatura R
Descrizione di prodotto

SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 ns 44-TSOP II

Etichette:

chip di memoria flash CI,

Chip del circuito integrato,

Chip di memoria

Prodotti raccomandati

Contattici in qualunque momento

86--13825240555
609 no. 4018, strada baoan, via di Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Invii la vostra indagine direttamente noi